大功率發(fā)射管 IR940P3W60AC
產(chǎn)品型號：XUV-IR940P3W60AC
芯片選材：晶元、鼎元、光磊、三安
產(chǎn)品應(yīng)用：自動化設(shè)備、光電開關(guān)、煙霧探測器、紅外應(yīng)用系統(tǒng)
產(chǎn)品規(guī)格：7.2*6.6mm
產(chǎn)品優(yōu)勢：發(fā)射角度均勻，光效率高于同行同類產(chǎn)品10%~30%;衰減小，100MA大電流持續(xù)供電老化1000H衰減小于10% ;高溫下性能穩(wěn) 定能滿足各種條件下使用;
最大額定值：（Ta=25℃）
| 電氣特性 | 符號 | 額定值 | 單位 |
| 最大持續(xù)工作電流 | IF | 1000 | mA |
| 峰值正向電流 | IFp | 5 | A |
| 反向電壓 | Vr | 5 | V |
| 操作溫度 | Topr | -40~+85 | ℃ |
| 儲藏溫度 | TSTG | -40!+85 | ℃ |
| 焊接溫度 | Tsol | 260 | ℃ |
| 最大功耗 | Pd | 2000 | mW |
| 防靜電等級 | ESD | 4K | V |
光電特性：
參數(shù)名稱 | Symbol | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
| 發(fā)射幅度 | IE | IF=1000mA | -- | 400 | -- | mW/sr |
峰值波長 | λp | IF=1000mA | -- | 940 | -- | nm |
| 光普帶寬 | Δλ | IF=1000mA | -- | 40 | -- | nm |
| 工作電壓 | VF | IF=1000mA | 1.8 | -- | 2.0 | V |
| 反向電流 | IR | VR=5V | -- | -- | 10 | μA |
| 發(fā)射角度 | 2θ1/2 | IF=1000mA | -- | 60 | -- | deg |
大功率發(fā)射管 IR940P3W60AC
產(chǎn)品型號：XUV-IR940P3W60AC
芯片選材：晶元、鼎元、光磊、三安
產(chǎn)品應(yīng)用：自動化設(shè)備、光電開關(guān)、煙霧探測器、紅外應(yīng)用系統(tǒng)
產(chǎn)品規(guī)格：7.2*6.6mm
產(chǎn)品優(yōu)勢：發(fā)射角度均勻，光效率高于同行同類產(chǎn)品10%~30%;衰減小，100MA大電流持續(xù)供電老化1000H衰減小于10% ;高溫下性能穩(wěn) 定能滿足各種條件下使用;
最大額定值：（Ta=25℃）
| 電氣特性 | 符號 | 額定值 | 單位 |
| 最大持續(xù)工作電流 | IF | 1000 | mA |
| 峰值正向電流 | IFp | 5 | A |
| 反向電壓 | Vr | 5 | V |
| 操作溫度 | Topr | -40~+85 | ℃ |
| 儲藏溫度 | TSTG | -40!+85 | ℃ |
| 焊接溫度 | Tsol | 260 | ℃ |
| 最大功耗 | Pd | 2000 | mW |
| 防靜電等級 | ESD | 4K | V |
光電特性：
參數(shù)名稱 | Symbol | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
| 發(fā)射幅度 | IE | IF=1000mA | -- | 400 | -- | mW/sr |
峰值波長 | λp | IF=1000mA | -- | 940 | -- | nm |
| 光普帶寬 | Δλ | IF=1000mA | -- | 40 | -- | nm |
| 工作電壓 | VF | IF=1000mA | 1.8 | -- | 2.0 | V |
| 反向電流 | IR | VR=5V | -- | -- | 10 | μA |
| 發(fā)射角度 | 2θ1/2 | IF=1000mA | -- | 60 | -- | deg |
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