最近幾年，我國深紫外LED燈珠技術運用發(fā)展相對很快，除了一些科研單位在紫外LED贏得了豐富的科研成果外，國內LED企業(yè)也在這個行業(yè)開拓出適合自己的市場。

　　在近紫外LED芯片領域以很多大品牌等作為代表上游公司都有涉及近紫外芯片。紫外LED芯片發(fā)光的波長越短，技術難度就越大，在深紫外LED燈珠芯片領域我國也有像鑫優(yōu)威這樣的知名企業(yè)。另外以深紫外LED燈珠為代表的中游封裝公司都推出了各自的紫外LED產品。

　　我國臺灣地區(qū)的晶電、新世紀、榮創(chuàng)等LED企業(yè)都在紫外LED產品開始合理布局。相對于我國LED發(fā)展情況來講，目前國外的紫外LED的發(fā)展狀況又是什么樣的呢?日本憑借其在藍光LED領域內的先發(fā)優(yōu)勢，在紫外LED方面的進展同樣有目共睹，日本主要紫外LED包括日亞化學與DOWA等。美國在深紫外的探索方面遙遙領先，有代表性的企業(yè)是美國的SMTI公司，可是近年有被日本超越的趨勢，日本日機裝(NIKKISO)將從2015年春季開始量產發(fā)光波長為255~350nm的深紫外LED燈珠。韓國廠商首爾半導體與LGInnotek也在研發(fā)紫外LED。與藍光不同，目前紫外LED正處于技術發(fā)展期，在zhuanli和知識產權方面限制比較少，有益于占領、引領未來的技術制高點。

　　國內在紫外LED的裝備、材料和器件方面都有了一些積累。在紫外LED形成大規(guī)模產業(yè)前，還需要國家的正確引導與支持，確保在核心技術方面獲得先機。

　　未來需要解決的技術難題是藍寶石襯底上高質量AlN模板的MOCVD外延生長;AlGaN量子阱的發(fā)光機制研究與結構控制技術;P型高Al組分AlGaN摻雜技術研究;低歐姆接觸電極的制作;電流擁堵效應的解決;紫外LED出光效率提高技術;熒光材料的高效合成;耐熱抗紫外封裝材料的研究;深紫外LED燈珠的器件工藝和封裝技術;應用模塊研制等。在國內外諸多紫外LED研究工作者的共同努力下，相信紫外LED芯片的應用前景將一片光明。

　　根據(jù)紫外LED芯片的研究現(xiàn)狀，預計其未來研究發(fā)展方向有以下這幾個方面：研究高質量的深紫外材料外延生長技術;高Al組分AlGaN材料生長技術和摻雜技術;深紫外LED燈珠結構設計;波長300nm以下LED器件芯片制作工藝和封裝技術;面向醫(yī)療、殺菌和凈化應用領域的紫外光源模塊開發(fā)和應用。

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